プレスリリース

筑波大学　数理物質系　教授：岩室　憲幸　氏に、ご講演をいただきます。


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株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山　正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として昨今高まりを見せる「パワー半導体技術」について「市場動向・技術動向」についての講座を開講いたします。

本講座ではパワー半導体デバイスとは何か、基本構造と適用分野と、シリコンデバイス進展状況を見据えてSic／Ganの特性・信頼性向上のポイントについて解説します。また、なぜ水冷が必要か、高温対応・高耐圧化技術の動向を紹介します。

本講座は、2024年12月19日開講を予定いたします。
詳細：https://andtech.co.jp/seminars/1ef95f0d-e16e-6f94-b3cb-064fb9a95405

Live配信・WEBセミナー講習会　概要
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テーマ：SiC/GaNパワー半導体デバイスの市場動向と耐熱・耐圧・水冷技術
開催日時：2024年12月19日(木) 10:30-16:30
参 加 費：49,500円（税込） ※ 電子にて資料配布予定
U　R　L ：https://andtech.co.jp/seminars/1ef95f0d-e16e-6f94-b3cb-064fb9a95405
アーカイブ：希望の視聴日を指定可能
WEB配信形式：Zoom（お申し込み後、URLを送付）

セミナー講習会内容構成
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　―プログラム・講師―
筑波大学　数理物質系　教授：岩室　憲幸　氏

本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題
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　１.パワー半導体デバイスならびに実装技術全体の最新技術動向
　２.シリコンパワー半導体デバイスの強み
　３.SiC/GaNパワー半導体デバイスの特徴と課題
　４.シリコン、SiC/GaNパワー半導体デバイス特有の設計、プロセス技術
　５.最新実装技術の動向

本セミナーの受講形式
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　WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。
　詳細は、お申し込み後お伝えいたします。

株式会社AndTechについて
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　化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、
　幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。
　弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」
　「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。
　クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。
　　https://andtech.co.jp/
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株式会社AndTech　技術講習会一覧
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一流の講師のＷＥＢ講座セミナーを毎月多数開催しております。
https://andtech.co.jp/seminars/search
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株式会社AndTech　書籍一覧
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選りすぐりのテーマから、ニーズの高いものを選び、書籍を発行しております。
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株式会社AndTech　コンサルティングサービス
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経験実績豊富な専門性の高い技術コンサルタントを派遣します。
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本件に関するお問い合わせ
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株式会社AndTech　広報PR担当 青木
メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）

下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）
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【講演のポイント】
　自動車電動化（xEV化）の進展に向けた最新パワー半導体ならびに実装技術を具体例を示しながら紹介し、今後シリコンならびにSiC/GaNパワー半導体技術開発の動向を中心に詳細にかつわかりやすく解説します。

【プログラム】
1．パワーエレクトロニクス・パワー半導体デバイスとは？
　1-1　パワエレ&パワーデバイスの仕事
　1-2　パワーデバイスの種類と基本構造
　1-3　パワーデバイスの適用分野
　1-4　高周波動作のメリットは
　1-5　パワーデバイス開発のポイントは何か

2．最新シリコンパワーデバイスの進展と課題
　2-1　MOSFET・IGBT開発のポイント
　2-2　特性向上への挑戦
　2-3　MOSFET・IGBT特性改善を支える技術
　2-4　最新のMOSFET・IGBT技術：まだまだ特性改善が進むシリコンデバイス
　2-5　新構造IGBT：逆導通IGBT（RC-IGBT）の開発

3. SiCパワーデバイスの現状と課題
　3-1　ワイドバンドギャップ半導体とは？
　3-2　SiCのSiに対する利点
　3-3　SiC-MOSFETプロセス
　3-4　SiCデバイス普及拡大のポイント
　3-5　SiC-MOSFET特性改善・信頼性向上のポイント
　3-6　最新SiC-MOSFET技術

4. GaNパワーデバイスの現状と課題　
　4-1　GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜGaN on GaNではないのか？
　4-2　GaN-HEMTの特徴と課題
　4-3　GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
　4-4　GaNパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
　4-5　縦型GaNデバイスの最新動向

5．高温対応実装技術
　5-1　高温動作ができると何がいいのか
　5-2　なぜ水冷が必要か？
　5-3　水冷技術
　5-4　SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
　5-5　ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発

６．超高耐圧化技術
　6-1　SiC IGBTの開発の状況
　6-2　酸化カリウムパワーデバイスの開発状況

【質疑応答】
＊当日以外のアーカイブ視聴をご希望の方は、お申込みの備考欄に『当日以外のアーカイブ視聴希望』をご記入ください
＊ 本ニュースリリースに記載された商品・サービス名は各社の商標または登録商標です。
＊ 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。
以　上

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