プレスリリース

技術士 (総合技術監理部門、電気電子部門)　神谷　有弘　氏（元株株式会社 デンソー 半導体基盤技術開発部 担当部長）にご講演をいただきます。


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　株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山　正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、昨今市場の増加が見込まれるパワーデバイスでの課題解決ニーズに応えるべく、第一人者の講師陣からなる「パワーデバイス入門 」3か月連続学習講座を開講いたします。
半導体・半導体デバイスに使われる材料やパワーデバイスの種類、実装構造について詳しく解説！
本講座は、2024年9月5日に第一講を開講予定いたします。
詳細：https://andtech.co.jp/seminars/1ef50b58-8aa0-618e-8d0d-064fb9a95405

AndTech オンラインLive配信・WEBセミナー　オンライン学習講座会　概要
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テーマ：【3か月連続・オンライン学習講座】パワーデバイス入門講座【LIVE配信・WEBセミナー・復習用アーカイブ付き】
開催日時：2024年09月5日(木)　13:00-16:00 （第2講　10月3日(木)　第3講　11月7日(木) ）
参 加 費：60,500円（税込） ※ 電子にて資料配布予定（2名受講同額料金）
U　R　L ：https://andtech.co.jp/seminars/1ef50b58-8aa0-618e-8d0d-064fb9a95405
WEB配信形式：Zoom（お申し込み後、URLを送付）

セミナー講習会内容構成
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　ープログラム・講師ー
技術士 (総合技術監理部門、電気電子部門)　神谷　有弘　氏
【第1回】半導体と半導体デバイス
（日時：9月5日(木)　13:00-16:00 、学習時間：3時間）
【第2回】様々なパワーデバイス
（日時：10月3日(木)　13:00-16:00 、学習時間：3時間）
【第3回】ワイドバンドギャップパワーデバイスとパワーモジュールの実装構造
（日時：11月7日(木)　13:00-16:00 、学習時間：3時間）

【第1回】半導体と半導体デバイス
第1回では半導体および半導体デバイスに使われる材料やダイオード、トランジスタなどの基礎的な内容について解説する。

【第2回】様々なパワーデバイス
第2回では様々な種類のパワーデバイスの構造や特性を理解していただくように解説する。

【第3回】ワイドバンドギャップパワーデバイスとパワーモジュールの実装構造
第3回ではワイドバンドギャップデバイス(WBG)の特性や構造を解説し、パワーモジュールの実装放熱構造について解説する。

本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題
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■注目ポイント
★半導体・半導体デバイスに使われる材料やパワーデバイスの種類、実装構造について詳しく解説！

本セミナーの受講形式
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　WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。
　詳細は、お申し込み後お伝えいたします。

株式会社AndTechについて
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　化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、
　幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。
　弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」
　「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。
　クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。
　　https://andtech.co.jp/

株式会社AndTech　技術講習会一覧
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一流の講師のＷＥＢ講座セミナーを毎月多数開催しております。
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株式会社AndTech　書籍一覧
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経験実績豊富な専門性の高い技術コンサルタントを派遣します。
https://andtech.co.jp/business-consulting
　
本件に関するお問い合わせ
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株式会社AndTech　広報PR担当 青木
メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）

下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）
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【第1回】半導体と半導体デバイス
（日時：9月5日(木)　13:00-16:00 、学習時間：3時間）
1.半導体デバイスに使われる材料
　1-1　電気・電子回路に使われる材料
　1-2　導体と絶縁体
　1-3　抵抗率を変化させる
2.原子と電子
　2-1　原子と電子
　2-2　電子のエネルギー準位
　2-3　原子配列と結晶
　2-4　エネルギー準位とエネルギーバンド
3.半導体
　3-1　半導体となる材料
　3-2　結晶中の電子の運動
　3-3　真性・p型・n型半導体
4.ダイオード
　4-1　pn接合
　4-2　ダイオードの動作
　4-3　ダイオードの特性
5.トランジスタ
　5-1　トランジスタの種類　
　5-2　バイポーラトランジスタ
　5-3　JFET
　5-4　MOSFET
　5-5　半導体の製品名
6.演習
【質疑応答】

【第2回】様々なパワーデバイス
（日時：10月3日(木)　13:00-16:00 、学習時間：3時間）
1.ダイオード
　1-1　高耐圧ダイオード
　1-2　ダイオードの高速スイッチング
2.バイポーラトランジスタ
　2-1　縦型トランジスタ
　2-2　高耐圧大電流トランジスタ
　2-3　パワートランジスタの特性
3.MOSFET
　3-1　縦型MOSFET
　3-2　構造と特性
　3-3　低オン抵抗化
　3-4　各種MOSFETの比較
4.サイリスタ
　4-1　基本構造
　4-2　動作
　4-3　特性
5.IGBT
　5-1　構造と動作　
　5-2　出力特性
　5-3　IGBTのラッチアップと対策
　5-4　微細化・薄型化
　5-5　インバータの電力損失の変遷と小型化
　5-6　IGBTの高耐圧化
　5-7　逆導通IGBT
6.演習
【質疑応答】

【第3回】ワイドバンドギャップパワーデバイスとパワーモジュールの実装構造
（日時：11月7日(木)　13:00-16:00 、学習時間：3時間）
1.Siからワイドバンドギャップデバイス(WBG)へ
　1-1　各デバイスと耐圧の関係
　1-2　各デバイスの耐圧理論限界
　1-3　ワイドバンドギャップ半導体の物性比較
　1-4　SiCとGaNの構造
2.SiCデバイス
　2-1　pnダイオード
　2-2　SBD
　2-3　SiC SBDの効果
　2-4　オン抵抗を低減させる構造例
　2-5　SiC MOSFETの構造
　2-6　SiC DMOSFET
　2-7　SiC MOSFETの課題と対応例
　2-8　MOSFETの電気特性
　2-9　SiCウェハの歩留り
　2-10　SiCの結晶成長法
　2-11　SiCウェハの加工
　2-12　SiCへの期待
　2-13　電力損失の比較（Siとの比較）
3.GaNデバイスの開発状況
　3-1　GaNデバイスによるパワー素子に期待する理由
　3-2　GaNの横型と縦型の構造
　3-3　GaN HEMTの特徴
　3-4　GaN HEMTの構造例
　3-5　縦型GANの課題
　3-6　GaNの結晶成長法
　3-7　GaNパワーデバイスへの期待
4.パワーモジュールとその実装・放熱構造
　4-1　シリコーンゲル封止とエポキシ樹脂封止
　4-2　パワーデバイスの高放熱化の動き
　4-3　各種冷却構造のモジュール
　4-4　インバータの冷却構造とパワーモジュールの関係
5.演習
【質疑応答】

＊ 本ニュースリリースに記載された商品・サービス名は各社の商標または登録商標です。
＊ 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。

以　上

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