プレスリリース

佐賀大学大学院　 理工学研究科/佐賀大学海洋エネルギー研究センター（併任）教授　 嘉数　誠　氏早稲田大学　大学院情報生産システム研究科　教授　 植田　研二　氏 にご講演をいただきます。

　株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山　正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、昨今高まりを見せるダイヤモンド半導体での課題解決ニーズに応えるべく、第一人者の講師からなる「ダイヤモンド半導体」講座を開講いたします。

ダイヤモンド半導体の基礎から、最近の優れたパワー半導体デバイス特性、さらに、今後の課題や将来の可能性について、又ダイヤモンド半導体を含む耐高温パワーデバイスの技術動向を解説、高温パワーデバイス作製・評価に必須となる実践的な技術及び知識を伝授！
本講座は、2023年04月27日開講を予定いたします。
詳細：https://andtech.co.jp/seminars/1edab5c2-8706-6100-b845-064fb9a95405
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Live配信・WEBセミナー講習会 概要


テーマ：ダイヤモンド半導体の特徴とウェハ・デバイスの作製技術および開発事例
開催日時：2023年04月27日(木) 13:00-17:05
参 加 費：44,000円（税込） ※ 電子にて資料配布予定
U R L ：https://andtech.co.jp/seminars/1edab5c2-8706-6100-b845-064fb9a95405
WEB配信形式：Zoom（お申し込み後、URLを送付）



セミナー講習会内容構成


ープログラム・講師ー

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第1部 ダイヤモンドパワー半導体デバイス作製技術と大口径ダイヤモンドウェハ成長技術の進展
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講師 佐賀大学大学院 理工学研究科・教授/佐賀大学海洋エネルギー研究センター（併任）教授 嘉数 誠 氏


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第2部 ダイヤモンド半導体を用いた耐高温パワーデバイスの作製
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講師 早稲田大学 大学院情報生産システム研究科 教授 植田 研二 氏



本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題


・高温デバイス作製に向けたダイヤモンド半導体薄膜作製技術
・高温下でのダイヤモンドデバイス評価技術と特性解析技術
・ダイヤモンド半導体等のワイドギャップ半導体を用いた耐高温デバイスに関する技術動向



本セミナーの受講形式


WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。
詳細は、お申し込み後お伝えいたします。



株式会社AndTechについて


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化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、
幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。

弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」
「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。
クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。
https://andtech.co.jp/



株式会社AndTech 技術講習会一覧


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一流の講師のＷＥＢ講座セミナーを毎月多数開催しております。
https://andtech.co.jp/seminars/search



株式会社AndTech 書籍一覧


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選りすぐりのテーマから、ニーズの高いものを選び、書籍を発行しております。
https://andtech.co.jp/books



株式会社AndTech コンサルティングサービス


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経験実績豊富な専門性の高い技術コンサルタントを派遣します。
https://andtech.co.jp/business-consulting



本件に関するお問い合わせ


株式会社AndTech 広報PR担当 青木
メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）



下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）


【第1講】 ダイヤモンドパワー半導体デバイス作製技術と大口径ダイヤモンドウェハ成長技術の進展

【講演主旨】

ダイヤモンド半導体は、Si, SiC, GaNより、さらにワイドギャップの半導体で、次世代の高出力・高効率パワー半導体デバイスとして期待されています。講演では、ダイヤモンド半導体の基礎から、最近の優れたパワー半導体デバイス特性、さらに、今後の課題や将来の可能性について、わかりやすく解説します。


【プログラム】
1. なぜダイヤモンド半導体が注目されるか
2. ダイヤモンド半導体の物性
3. ダイヤモンド半導体のこれまでの応用例
4. ダイヤモンド半導体のマイクロ波CVD成長
5. ヘテロエピタキシャル成長
6. ダイヤモンド半導体の不純物ドーピング技術
7. NO2 p型ドーピング技術
8. ダイヤモンドMOSFETの作製
9. 選択ドーピングFETの作製
10. 今後の課題と可能性

【質疑応答】


【第2講】 ダイヤモンド半導体を用いた耐高温パワーデバイスの作製

【講演主旨】

ダイヤモンドは大きなバンドギャップ（〜5.5 eV）や、高絶縁破壊電圧，高熱伝導度等の優れた物理特性を有する事から，次世代パワーデバイス材料として期待されている。また、大バンドギャップと高熱伝導度に加え，化学安定性にも優れている事から極限環境下、特に高温下で安定に使用できるパワーデバイスとして有望である。本講座では、ダイヤモンド半導体を用いた耐高温パワーデバイスの作製、測定、解析技術及びその技術動向について分かり易く解説を行う。


【プログラム】
１. なぜダイヤモンド耐高温パワーデバイスか？
２．ダイヤモンド耐高温パワーデバイスの作製及び高温測定技術
３．耐高温ダイヤモンドショットキーダイオードの作製と高温特性評価
４．耐高温ダイヤモンドFETの作製と高温特性評価
５．ダイヤモンド耐高温パワーデバイスの課題と今後の展望

【質疑応答】


＊ 本ニュースリリースに記載された商品・サービス名は各社の商標または登録商標です。
＊ 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。

以 上

プレスリリース提供：PR TIMES