プレスリリース

三重大学大学院工学研究科 電気電子工学専攻 専攻長　教授　博士（工学）三宅　秀人　氏 にご講演をいただきます。

　株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山　正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、昨今高まりを見せる深紫外LEDでの課題解決ニーズに応えるべく、第一人者の講師からなる「深紫外LED」講座を開講いたします。

サファイア上AlNテンプレート作製技術から深紫外LED作製技術を説明、さらに深紫外LEDを用いた殺菌等の社会実装の試みを紹介。
本講座は、2022年12月26日開講を予定いたします。
詳細：https://andtech.co.jp/seminar_detail/?id=10607
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Live配信・WEBセミナー講習会 概要


テーマ：高効率・低コストな深紫外LEDの基礎と開発・市場動向と社会実装に向けた課題
開催日時：2022年12月26日(月) 13:30-17:30
参 加 費：39,600円（税込） ※ 電子にて資料配布予定
U R L ：https://andtech.co.jp/seminar_detail/?id=10607
WEB配信形式：Zoom（お申し込み後、URLを送付）



セミナー講習会内容構成


ープログラム・講師ー

三重大学大学院工学研究科 電気電子工学専攻 専攻長 教授 博士（工学）三宅 秀人 氏



本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題


・深紫外LEDのマーケティングの結果
・サファイア上への高品質AlN膜の作製技術
・MOVPE法によるAlGaN成長技術
・深紫外LEDを用いた大腸菌、黄色ブドウ球菌の殺菌
・深紫外LEDを用いた殺菌の農業、水産業分野での活用



本セミナーの受講形式


WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。
詳細は、お申し込み後お伝えいたします。



株式会社AndTechについて


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化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、
幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。

弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」
「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。
クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。
https://andtech.co.jp/



株式会社AndTech 技術講習会一覧


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一流の講師のＷＥＢ講座セミナーを毎月多数開催しております。
https://andtech.co.jp/seminar_category/



株式会社AndTech 書籍一覧


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選りすぐりのテーマから、ニーズの高いものを選び、書籍を発行しております。
https://andtech.co.jp/books/



株式会社AndTech コンサルティングサービス


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経験実績豊富な専門性の高い技術コンサルタントを派遣します。
https://andtech.co.jp/business_consulting/



本件に関するお問い合わせ


株式会社AndTech 広報PR担当 青木
メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）



下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）


講演主旨

新型コロナ禍で、手軽で効率的な殺菌やウイルス不活性化の手段として深紫外LEDは期待され、市場は急速に拡大しています。深紫外LEDの普及の鍵となる低コスト化と高出力化技術を三重大学のグループが開発しました。スパッタ法と高温アニールで世界最高品質のサファイア上AlN膜を作製し、それを基板とすることで、世界最高レベルの発光出力と効率の達成に成功しました。
本講座では、高品質で低コスト化を可能にしたサファイア上のAlNテンプレート作製技術から深紫外LED作製技術を説明し、さらに深紫外LEDを用いた殺菌等の社会実装の試みを紹介します。


プログラム

1.深紫外LEDの市場
1.1 紫外光の活用分野と市場規模
1.2 ウイズ／ポスト・コロナ禍における紫外LEDの市場実績と予測
1.3 深紫外LED出力単価（円/mW）の実績と予測
2.深紫外LEDによる菌の不活化
2.1 深紫外LEDを用いた殺菌実験
2.2 黄色ブドウ球菌、大腸菌を用いた280nmと265nmLEDによる殺菌実験
2.3 深紫外LEDを用いた三重県農業研究所、水産研究所の実験紹介
3.サファイア上への「三宅方式」による高品質なAlN作製
3.1 スパッタ法によるAlN堆積とその結晶性評価
3.2 Face-to-face法によるAlN膜の高温アニール
3.3 「三宅方式」による高品質AlN作製のメカニズム
4.AlGaN成長でデバイス作製
4.1 AlNテンプレートの貫通転位密度低減と内部量子効率向上
4.2 「三宅方式」AlNテンプレート上へのMOVPE法によるAlGaN成長
4.3 高Al組成AlGaNへの電極形成
5.世界最高基準の発光効率を実現
5.1 有機・無機ハイブリッド樹脂レンズを用いた光取り出し効率の向上
5.2 265nmLEDの外部量子効率ベンチマーク
【質疑応答】


＊ 本ニュースリリースに記載された商品・サービス名は各社の商標または登録商標です。
＊ 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。

以 上

プレスリリース提供：PR TIMES