プレスリリース

シリコンカーバイド・パワーエレクトロニクスの利点を深掘り


半導体と電子部品の幅広い品揃え(TM)と新製品投入（New Product Introduction: NPI）のリーディング・ディストリビュータであるMouser Electronics（マウザー・エレクトロニクス 本社：米国テキサス州マンスフィールド、以下マウザー）は、onsemi（本社　米国アリゾナ州スコッツデール）と共同で、パワーシステム設計におけるシリコンカーバイド（SiC）半導体の応用について解説したeBookを公開しました。

[画像: https://prcdn.freetls.fastly.net/release_image/136133/52/136133-52-2e7a47c4aec10356d394c3a7beca3fc9-1024x512.jpg?width=536&quality=85%2C75&format=jpeg&auto=webp&fit=bounds&bg-color=fff ]


SiCパワーデバイスは、その優れた材料特性により、より効率的でコンパクトかつ持続可能な電力システムを可能にし、パワーエレクトロニクスの技術分野に革命をもたらしています。eBook『Enabling a Sustainable Future with Silicon Carbide Power Electronics』ではonsemiと共同で、SiCの利点、電気自動車や再生可能エネルギーへの応用、適切なSiCパートナーを選ぶ重要性などについて解説しています。信頼できるパワーソリューションの供給者であるonsemiは、高品質のSiCデバイス、信頼性の高いサプライチェーン、そして包括的な設計サポートを提供しています。

eBookには、NTBG014N120M3P EliteSiC MOSFETなど、onsemiのパワーエレクトロニクス製品を参照できる便利なリンクが含まれています。NTBG014N120M3Pは、電力アプリケーション向けに最適化された1200V対応のM3PシリーズSiCプレーナMOSFETです。プレーナ技術は負のゲート電圧を用いたドライブでも安定して動作し、ゲート上のスパイクを抑えることができます。本デバイスは、太陽光発電インバータ、電気自動車の充電ステーション、エネルギー貯蔵システム、およびスイッチモード電源に適しています。


同じくMouserで取り扱うNVBG1000N170M1 EliteSiC MOSFETは、高速スイッチング・アプリケーション向けに最適化された1700V対応のM1プレーナー・デバイスです。本デバイスはAEC-Q101に適合しPPAPに対応しているため、電気自動車（EV）やハイブリッド電気自動車（HEV）での使用に適しています。EVやHEVでは、SiCデバイスを使用することで、より小型で軽量、かつ効率的な電力ソリューションが実現します。さらに、エネルギーの無駄が少なくなるため、高価なバッテリーの数を削減につながります。


NCP51705ゲートドライバは主に、SiC MOSFETトランジスタを駆動するために設計されています。最小限の導通損失を実現するために、このドライバはSiC MOSFETデバイスに最大許容ゲート電圧を供給することが可能です。また、オン・オフ時に高いピーク電流を提供し、スイッチング損失を最小限に抑えます。


NCP51560絶縁型デュアル・チャネル・ゲート・ドライバは、高速スイッチング用に設計され、SiC MOSFETパワースイッチを駆動します。2つの独立したガルバニック絶縁ゲート・ドライバ・チャンネルは、2つのローサイドまたはハイサイドスイッチ、またはプログラム可能なデッドタイムを持つハーフ・ブリッジ・ドライバのいずれの構成にも使用可能です。NCP51560は両方のゲート・ドライバに対して独立した低電圧ロックアウトをはじめとする、重要な保護機能も備えています。

eBook「Enabling a Sustainable Future with Silicon Carbide Power Electronics」は下記URLよりご覧いただけます。
https://resources.mouser.com/manufacturer-ebooks/onsemi-enabling-a-sustainable-future-with-silicon-carbide-power-electronics-mg/


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