プレスリリース

名城大学理工学部材料機能工学科の岩谷素顕教授、竹内哲也教授、上山智教授、名城大学理工学部応用化学科の丸山隆浩教授、三重大学大学院工学研究科の三宅秀人教授の研究グループは、高光出力の深紫外LEDや深紫外半導体レーザーを実現するために不可欠である縦型AlGaN系深紫外半導体レーザーの開発に成功。さらに、半導体プロセスに導入しやすい加熱・加圧した水で基板剥離する技術を開発しその基板剥離メカニズムも解明しました。本件は、2023年10月11日に応用物理学会の国際論文誌「Applied Physics Express」に掲載され、同誌の“Spotlights 2023” に選出されました。




　名城大学理工学部材料機能工学科の岩谷素顕教授、竹内哲也教授、上山智教授、名城大学理工学部応用化学科の丸山隆浩教授、三重大学大学院工学研究科の三宅秀人教授の研究グループは、高光出力の深紫外LEDや深紫外半導体レーザーを実現するために不可欠である、縦型AlGaN系深紫外半導体レーザーの開発に成功。さらに、半導体プロセスに導入しやすい加熱・加圧した水で基板剥離する技術を開発し、その基板剥離メカニズムも解明しました。


　本研究成果は、2023年10月11日に応用物理学会の国際論文誌「Applied Physics Express」に掲載されるとともに、同誌の''Spotlights 2023'' に選出されました。Spotlightsは、応用物理学コミュニティの興味を引く可能性の高い論文を特別に紹介するもので、例年、20数件の論文が選出されています。なお、Applied Physics Expressに受理される論文数は、毎年350件前後です。


本件に関する詳細のプレスリリースはこちら（ https://www.meijo-u.ac.jp/news/asset/37bf860cf0af130e76083a00d6ea7a67.pdf
）


【本件のポイント】
・AlGaN半導体の半導体プロセスに導入しやすい加熱・加圧した水で基板剥離する技術を開発
・基板剥離メカニズムを解明
・本剥離技術はウェハーサイズの縦型デバイスプロセスが可能なため、高出力な深紫外LEDや深紫外半導体レーザーの実現につながることに期待



【論文情報】
掲載誌： Applied Physics Express
掲載日： 2023年10月11日
https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/acfec9
論文タイトル：Exfoliation mechanism of AlGaN based thin films using heated pressurized water
著者：Ryoya Yamada, Eri Matsubara, Ryosuke Kondo, Toma Nishibayashi, Koki Hattori,Yoshinori Imoto, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi　Kamiyama, Takahiro Maruyama,Hideto Miyake and Motoaki Iwaya



【お問い合わせ先】
名城大学 理工学部材料機能工学科 教授 岩谷 素顕
〒468‐8502 名古屋市天白区塩釜口一丁目501 番地
TEL：052‐838‐2430
E‐mail：iwaya@meijo u.ac.jp

三重大学 大学院工学研究科 電気電子工学専攻 教授 三宅 秀人
〒514‐8507 三重県津市栗真町屋町1577
TEL：059‐231‐9401
E-mail：miyake@elec.mie u.ac.jp

▼本件に関する問い合わせ先
名城大学渉外部広報課
住所：愛知県名古屋市天白区塩釜口1-501
TEL：052-838-2006
FAX：052-833-9494
メール：koho@ccml.meijo-u.ac.jp


【リリース発信元】 大学プレスセンター https://www.u-presscenter.jp/