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ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社

ウィンボンドのHYPERRAM 3.0が第7回 China IoT Innovation Awards 2022を受賞

(@Press) 2022年12月09日(金)11時30分配信 @Press

台湾台中市発 - 2022-12-09 - 半導体メモリソリューションの世界的リーディングサプライヤーであるウィンボンド・エレクトロニクス株式会社は、本日、次世代メモリ製品HYPERRAM 3.0の発売に伴う技術革新と優れた製品性能の継続的な追求が評価され、Elecfansの第7回 China IoT Innovation Awards 2022を受賞したことを発表しました。

画像1: https://www.atpress.ne.jp/releases/338434/LL_img_338434_1.png
ウィンボンドのHYPERRAMが受賞

中国の大手電子メディアであるElecfansによって設立されたChina IoT Innovation Awardsは、中国のIoT業界における最も専門的で影響力のある改革の1つとして認められています。China IoT Innovation Awardsは、IoT業界の優れた技術やリーダー、および過去数年間に市場や業界のユーザーから高く評価され認められた革新的な製品を選出、表彰し、IoT技術の進歩と業界の発展に貢献すべく、多くの人々を啓発することを目的としています。

HYPERRAM製品は、従来の疑似SRAMのコンパクトな代替品を提供し、オフチップ外部RAMを必要とする低消費電力でスペースに制約のあるIoTアプリケーションに適しています。HYPERRAM 3.0はHYPERRAMファミリーの第3世代で、最大周波数200MHz、動作電圧1.8Vで動作します。これは、HYPERRAM 2.0およびOCTAL xSPI RAMと同じですが、データ転送速度が800MBpsと、従来の2倍に向上しています。新世代のHYPERRAMは、22ピンの拡張I/O HYPERBUS(TM)インターフェイスで動作します。

HYPERRAMの3つの重要な機能は、少ないピン数、低消費電力、および簡単な制御で、これらはIoT エンドデバイスのパフォーマンスを向上させるのに役立ちます。HYPERRAMは、PCBレイアウト設計を大幅に簡素化、モバイルデバイスのバッテリ寿命を延ばし、Low Power DRAM、SDRAM、およびCRAM/PSRAMと比較してスループットを向上させながら、より少ないピン数、より小さなプロセッサで動作します。

IResearch社によると、中国のAIoT産業は2022年に急成長期に入り、それに伴いIoTチップやスマートデバイスの需要も急増しています。HYPERRAM 3.0がChina IoT Innovation Awardsを受賞したことは、ウィンボンドの継続的なイノベーションを高く評価するものです。HYPERRAMファミリーは、ウェアラブル、車載用インスツルメントクラスター、インフォテインメント、テレマティクスシステム、産業用マシンビジョン、HMIディスプレイおよび通信モジュールなどの低消費電力IoTアプリケーションに最適です。

詳細につきましては、 https://www.winbond.com をご覧ください。


■ウィンボンド・エレクトロニクスについて
ウィンボンド・エレクトロニクスは半導体メモリソリューションの世界的リーディングサプライヤーです。製品の設計、研究開発、製造、および販売サービスのエキスパートとして、お客様のニーズに基づいたメモリソリューションを提供しています。ウィンボンド・エレクトロニクスの製品ポートフォリオは、スペシャリティDRAM、モバイルDRAM、コードストレージフラッシュメモリ、およびTrustME(R)セキュアフラッシュメモリで、通信、家電、車載、産業用、そしてコンピュータ周辺機器市場におけるTier1メーカーで広く採用されています。台湾中部サイエンスパーク(CTSP)を拠点とし、米国、日本、イスラエル、中国、香港、ドイツに子会社を有しています。
稼働中の台湾・台中の12インチファブ、および2022年量産開始予定の高雄の12インチファブをベースに、高品質メモリ製品を提供するため、更なる自社技術開発を進めています。

プレスリリース提供元:@Press

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